技術編號：8092829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要本發(fā)明公開了，其特征在于包括以下步驟在坩堝底部中心鋪設若干多晶硅籽晶，形成籽晶層；坩堝底部所述籽晶層與坩堝四周間鋪設有若干并排設置多晶硅片，形成平鋪層；在所述籽晶層和所述平鋪層上設置有處于熔融狀態(tài)的硅料，保證坩堝底部的加熱溫度低于所述多晶籽晶和所述多晶硅片的熔點；控制所述坩堝內(nèi)的溫度沿垂直于坩堝底部所在平面的方向向上逐漸形成溫度梯度，使得熔化后的硅料在所述籽晶層和所述平鋪層上形成結晶，獲得成分為多晶硅的多晶硅錠。采用這種方式，長晶錯位少，晶界適量，晶體制成的電池的轉換效率提高了0.4~0.9，且制備的硅錠為...
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