技術編號：8090306
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要用于溶液生長法的制造裝置。該制造裝置（10）包括籽晶架（28）和坩堝（14）。籽晶架（28）具有下端表面，該下端表面上附著有SiC籽晶（32）。坩堝（14）容納有SiC溶液（15）。坩堝（14）包括圓柱形部分（34）、底部（36）和內(nèi)蓋（38）。底部（36）位于圓柱形部分（34）的下端。內(nèi)蓋（38）設置在圓柱形部分（34）中。內(nèi)蓋（38）具有通孔（40），當SiC溶液容納在坩堝（14）中時，所述內(nèi)蓋（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。專利說明用于通過溶液生長法制造S i C單晶的裝置、以及用于使用...
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