技術(shù)編號：8089959
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要公開了一種用于將寬帶隙半導(dǎo)體特別是氮化鎵外延層與合成金剛石基底集成的方法。通過將合成金剛石沉積到成核層上來產(chǎn)生金剛石基底，所述成核層沉積或形成在層狀結(jié)構(gòu)上，所述層狀結(jié)構(gòu)包含至少一個(gè)氮化鎵層。公開了以低翹曲和高結(jié)晶品質(zhì)制造金剛石載GaN晶片的方法以及用于制造金剛石載GaN晶片和為特定應(yīng)用定制的芯片的優(yōu)選選擇。專利說明[0001]相關(guān)申請[0002]本申請要求于2012年2月29日提交的美國臨時(shí)專利申請序列號61/604，979的優(yōu)先權(quán)。通過引用將該公開整體并入本文。發(fā)明領(lǐng)域[0003]本發(fā)明涉及高功率電子器件...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。