技術(shù)編號(hào)：8076958
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提供一種晶種層的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜裝置，所述晶種層的形成方法在基底上形成晶種層，所述晶種層成為薄膜的晶種，其具備下述工序（1）將基底加熱，在加熱了的基底表面上供給氨基硅烷系氣體，在基底表面上形成第一晶種層；以及（2）將基底加熱，在加熱了的基底表面上供給乙硅烷以上的高階硅烷系氣體，在形成有第一晶種層的基底表面上形成第二晶種層，將前述（1）工序中的處理溫度設(shè)為不足400℃且前述氨基硅烷系氣體中包含的至少硅能夠吸附在前述基底表面上的溫度以上，將前述（2）工序中的處理溫度設(shè)為不足400℃且前述乙...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。