技術(shù)編號：8074952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本發(fā)明提供。所述方法包括如下步驟a）在單晶硅片的單側(cè)表面沉積一層二氧化硅膜；b）在前述沉積了二氧化硅膜的單晶硅片上進行堿制絨，由于該單晶硅片的單側(cè)表面上有前述二氧化硅膜的掩蔽，因此實現(xiàn)該單晶硅片的另一側(cè)表面上的制絨。本發(fā)明用簡單的沉積技術(shù)和常規(guī)的單晶硅堿制絨工藝即可實現(xiàn)單晶硅片的單面制絨。相對于單晶硅片的常規(guī)雙面堿制絨，本發(fā)明實現(xiàn)了單面制絨，這極大的降低了不必要的硅片損耗和制絨液化學品損耗。并且，相對于其他已公開的單晶硅片單面制絨工藝，本發(fā)明用于實現(xiàn)單晶硅片單面制絨的工藝簡單、化學品易購買，克服了反應(yīng)離子刻...
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