技術(shù)編號:8073285
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提出了一種改進(jìn)的外延生長方法和結(jié)構(gòu)設(shè)計理念,能夠大幅度穩(wěn)定提高外延材料晶體質(zhì)量和提升發(fā)光材料和器件的效率。該外延生長方法的特別之處在于,其前期生長過程先進(jìn)行兩次短暫生長,主要包括以下環(huán)節(jié)(1)在反應(yīng)室內(nèi),在400度至900度升溫過程中,通入TMGa和NH3,進(jìn)行外延生長一段時間,然后停止通入TMGa和NH3,繼續(xù)升溫至高溫段;(2)在高溫段維持10-300s后,再次通入TMGa和NH3并維持10-200s;然后停止通入,繼續(xù)在高溫段處理10-500s。按照本發(fā)明的方法進(jìn)行外延生長,有利于處理掉襯底固有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。