技術(shù)編號(hào):8069738
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要公開(kāi)了用于硅晶體制備的石墨坩堝。所述坩堝包括底壁,該底壁包括底壁內(nèi)部的外層表面。多個(gè)側(cè)壁從底壁向上延伸,每個(gè)側(cè)壁包括側(cè)壁內(nèi)部的外層表面。接觸點(diǎn)設(shè)置在側(cè)壁上以防止坩堝在鑄錠移除期間向上移動(dòng)。側(cè)壁具有垂直于凝固方向的熱膨脹系數(shù),該系數(shù)小于在坩堝中加工的硅的熱膨脹系數(shù)的95%。另外,側(cè)壁和底壁在室溫下具有從約90至約160W/m·K的貫通面熱導(dǎo)率。所述方法涉及具有頂部表面和在后加工步驟中將被移除的切割區(qū)域的硅鑄錠,所述方法包括將一個(gè)或多個(gè)緊固件在所述切割區(qū)域中的位置處附接到所述頂部表面;向上牽拉所述一個(gè)或多個(gè)緊固...
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