技術(shù)編號(hào):8067652
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明的目的在于提供一種,對(duì)坩堝內(nèi)部溫度梯度更加準(zhǔn)確、主動(dòng)地控制,通過(guò)強(qiáng)化真空腔的結(jié)構(gòu)、防止其長(zhǎng)期使用時(shí)發(fā)生變形,最大限度地降低單晶成長(zhǎng)時(shí)的長(zhǎng)度方向上的殘留應(yīng)力、防止出現(xiàn)裂縫或破裂,增大單晶成長(zhǎng)直徑。為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的單晶長(zhǎng)晶裝置包括可上下移動(dòng)地設(shè)置在腔體10內(nèi)部的坩堝30,設(shè)置在坩堝30側(cè)部的側(cè)部加熱器22,設(shè)置在坩堝30下部的下部加熱器24,貫穿腔體10和下部加熱器24到達(dá)坩堝30、可上下移動(dòng)地設(shè)置的冷卻棒40,驅(qū)動(dòng)冷卻棒40的驅(qū)動(dòng)單元50,對(duì)側(cè)部加熱器22和下部加熱器24各自加熱條件、冷卻棒4...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。