技術(shù)編號(hào)：8065855
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專(zhuān)利摘要提供結(jié)晶性高的大口徑的SiC單晶。一種SiC單晶，其包含具有c面以及非c面的籽晶；和以所述籽晶的c面以及非c面為基點(diǎn)，在c面方向以及非c面方向生長(zhǎng)了的c面生長(zhǎng)部以及口徑擴(kuò)大部，在與所述籽晶的c面平行的、包含所述籽晶以及所述口徑擴(kuò)大部的平面內(nèi)，在所述平面內(nèi)的周邊部存在不含貫穿位錯(cuò)的連續(xù)區(qū)域，所述連續(xù)區(qū)域的面積相對(duì)于所述平面整體的面積占有50%以上的面積。專(zhuān)利說(shuō)明技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及適合作為半導(dǎo)體元件的，更詳細(xì)而言，涉及位錯(cuò)和缺陷少的高品質(zhì)的SiC單晶以及采用熔液法的高品質(zhì)的SiC單晶的制造方法。背景...
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