技術(shù)編號(hào):8053918
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種可減少電弧石英坩堝內(nèi)表面質(zhì)量缺陷的石墨電極結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)電弧石英坩堝用于熔融硅拉制單晶硅,而單晶硅廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體或太陽能電池等的單晶硅。采用切克勞斯基(Czochralski)法拉制單晶硅時(shí),電弧石英坩堝被用于容納硅熔體。在此方法中,一粒具有預(yù)定取向的種晶被浸入熔體,然后緩緩拉出。種晶和熔體以不同方向旋轉(zhuǎn)。種晶和熔體之間的表面張力使得熔體隨種晶被拉出,所述熔體逐漸凝固,最終固化成一個(gè)不斷生長(zhǎng)的硅單晶。在石英坩堝的熔制過程中,由于電弧溫度很高,內(nèi)表面會(huì)被部分氣化,產(chǎn)生二氧化硅蒸汽,這些氣...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。