技術(shù)編號(hào):8052996
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造碳化硅(SiC)單晶的裝置和方法。技術(shù)背景已經(jīng)例如在JP-A-2007-176718中提出了一種SiC單晶制造裝置。在常規(guī)裝置中, 籽晶的直徑通過(guò)升華蝕刻籽晶的可能存在很多缺陷和畸變的側(cè)面和外緣來(lái)減小。然后,籽晶的直徑通過(guò)在籽晶上生長(zhǎng)SiC單晶來(lái)增大至預(yù)定水平。具體地,這種常規(guī)裝置包括導(dǎo)向件,其具有定位為面向籽晶外緣的內(nèi)壁。導(dǎo)向件的內(nèi)徑小于籽晶的直徑并且隨著距籽晶的距離而增大以使得籽晶的直徑能增大。因而,這種常規(guī)裝置可減少或防止籽晶的外緣上的缺陷和畸變。因此,由這種常規(guī)裝置制造的SiC單晶可具...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。