技術編號：8052551
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及直拉硅單晶生長，尤其涉及一種用于直拉硅單晶生長的雙層坩堝。 背景技術直拉硅單晶生長爐要使用石英坩堝熔化多晶硅，通常根據(jù)所生長的硅單晶的直徑的大小選用石英坩堝，現(xiàn)在常用的有外徑為18英寸、20英寸、22英寸、M英寸、洲英寸、32 英寸的石英坩堝。石英坩堝的形狀為上部開口、下部有底的圓筒形。在直拉硅單晶爐生長硅單晶時，在石英坩堝內存在熔體熱對流，熱對流是沿著坩堝壁上升，在熔體表面下流向坩堝的中心區(qū)域。熱對流對坩堝壁有很強的沖刷作用加快了石英坩堝壁的熔蝕速度，石英坩堝壁熔蝕是硅單晶中氧的來源，熱對流在熔...
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