技術(shù)編號(hào)：8051451
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種直拉硅單晶爐的配套裝置，特別涉及一種用于直拉硅單晶爐的熱屏裝置。背景技術(shù)目前，采用直拉法每生產(chǎn)一顆長(zhǎng)度2米左右的8寸硅單晶等徑用時(shí)35_40h，開爐時(shí)間長(zhǎng)、功耗高，生產(chǎn)效率低。因此，要解決上述問題，主要是提高晶體生長(zhǎng)速度，縮短拉晶時(shí)間；從根本上講，就是要加大晶體與熔硅之間固液界面的溫度梯度，加快結(jié)晶潛熱的釋放， 即提高晶體的冷卻速率。高溫爐體以及熔硅的熱輻射是阻礙晶體有效、快速冷卻的主要原因。通常情況下，直拉硅單晶爐配有等靜壓高純石墨制的熱屏，其具有上下貫通的筒形結(jié)構(gòu)，并且上口大于下口，下口略...
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