技術(shù)編號：8050908
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種低位錯氮化鎵(GaN)的生長方法，屬于半導(dǎo)體材料生長領(lǐng)域。 背景技術(shù)GaN基LED具有節(jié)能、環(huán)保、冷光源、顯色指數(shù)高、響應(yīng)速度快、體積小和工作壽命長等突出優(yōu)點，其作為新一代照明革命的綠色固體光源顯示出巨大的應(yīng)用潛力。目前藍寶石襯底是氮化物進行異質(zhì)外延生長最常用的襯底之一。由于藍寶石襯底和氮化物外延層之間存在很大晶格常數(shù)失配和熱膨脹系數(shù)差異，因此氮化物外延層中存在很大的殘余應(yīng)力和諸多晶體缺陷，影響了材料的晶體質(zhì)量，限制了器件光電性能的進一步提尚。本發(fā)明通過對GaN外延層進行處理，將位錯集中的區(qū)域...
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