技術(shù)編號：8047697
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明提供，屬于晶體生長技術(shù)領(lǐng)域。 背景技術(shù)SiC是第三代寬禁帶半導(dǎo)體代表，具有禁帶寬度大、遷移率高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)良的電學(xué)熱學(xué)特性，成為制作高頻、大功率、耐高溫和抗輻射器件的理想材料。在器件研制方面， SiC藍(lán)光LED已經(jīng)商業(yè)化；SiC功率器件的研發(fā)已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流；在高溫半導(dǎo)體器件方面，利用SiC材料制作的SiCJFET和SiC器件可以在無任何領(lǐng)卻散熱系統(tǒng)下的600°C高溫下正常工作。隨著SiC半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，SiC材料與器件的應(yīng)用越來越廣闊，在白光照明、汽車電子化、雷達(dá)通訊...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。