技術(shù)編號：8046026
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及太陽能電池片及硅片氫離子注入技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種。背景技術(shù)晶體硅是目前應(yīng)用最為廣泛的太陽能電池材料，但單晶硅特別是多晶硅中存在大量深能級復(fù)合中心(SHR)復(fù)合中心，制約了器件轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提升。氫鈍化可提高硅片少子壽命和電池片的轉(zhuǎn)換效率。目前實現(xiàn)氫鈍化的方法有1. PECVD源的氫等離子體注入此法離子能量小，在幾個eV數(shù)量級。離子穿透能力弱，應(yīng)用前景有限。2. PECVD制備Si3N4膜在太陽能電池表面制備Si3N4非晶硅薄膜有兩個作用首先，SOnm左右的薄膜可以起到可見光的減反射作用；其次，S...
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