技術(shù)編號(hào)：8045054
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)降低反射率使硅片盡可能多地吸收太陽光，是增加太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的有效途徑。在當(dāng)今太陽能電池的制造過程中，單晶硅和多晶硅分別采用不同的制絨方式獲得絨面， 在不同程度上降低反射率。其中，單晶普遍使用堿制絨來制造金字塔形成絨面，以獲得較好的反射率；由于單晶堿制絨大量使用高濃度堿液，異丙醇等化學(xué)物質(zhì)，所以對(duì)生態(tài)環(huán)境造成影響。而多晶在切片損傷層的基礎(chǔ)上，利用酸制絨進(jìn)行進(jìn)一步腐蝕，形成類似“蟲洞”的深坑來降低反射率。由于多晶酸制絨大量使用硝酸、氫氟酸等化學(xué)物質(zhì)，所以也對(duì)生態(tài)環(huán)境造成一定影響。發(fā)明內(nèi)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。