技術(shù)編號：8044494
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種等離子體點(diǎn)火的裝置、方法和半導(dǎo)體設(shè)備。背景技術(shù)目前，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，中、低頻等離子體技術(shù)的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，該中、低頻等離子體技術(shù)用于在晶片上沉積減反射氮化硅薄膜。其中，晶片可以為硅片。按照通常的頻率劃分方法，中頻和低頻各自對應(yīng)的頻率范圍分別為低頻為30KHz 300KHz，中頻為300KHz 2MHz。相對于高頻(高頻為大于或等于2MHz)等離子體技術(shù)而言，中、低頻等離子體技術(shù)可使氮化硅薄膜獲得更為出色的鈍化效果，從而提高太陽能...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。