技術(shù)編號(hào)：8034974
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)用BN/碳化硅復(fù)合坩堝，屬于化合物半導(dǎo) 體單晶生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)化合物半導(dǎo)體如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(MP)等，可制成微波IC、超高速電路等器 件，在微波通信、光通信、計(jì)算機(jī)、顯示裝置、消費(fèi)類電子、傳感器等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用空 間?；衔锇雽?dǎo)體單晶是生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體元器件的重要原料，通?？梢圆捎么怪辈祭锲?曼法(VB法)、垂直溫度梯度凝固法(VGF法)等方法制備得到，為了提高化合物半導(dǎo)體晶片 的有效利用率，生長(zhǎng)更大尺寸的單晶一直是化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)重要的發(fā)展方向。...
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