技術(shù)編號：8034923
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種等離子體加速器，尤其是一種電磁感應等離子體加速器。背景技術(shù) 隨著對高速微處理器和高記錄密度存儲器的需求增加，現(xiàn)已開發(fā)出了用于減小門電介質(zhì)厚度和邏輯器件橫向尺寸的技術(shù)，從而可以在一個半導體芯片上安裝多個器件。即，已對將晶體管的門長度減少到0.5nm或更小、將金屬化水平增加到6或更大的技術(shù)進行了集中研究。為了實施這一技術(shù)，在半導體芯片的制造過程中需要高性能的蝕刻技術(shù)和圖案轉(zhuǎn)移技術(shù)。因此，使用等離子體加速器的蝕刻技術(shù)變得更加重要。圖1是剖開的透視圖，示意性示出了在美國專利No.5847593中公開的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。