技術(shù)編號(hào)：8033085
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及具有異質(zhì)結(jié)界面的III-V族系化合物半導(dǎo)體薄膜的形成方法，特別涉及適合于制造將InP層作為蝕刻阻止層(蝕刻控制層)使用的高電子遷移率晶體管(HEMT)的外延生長(zhǎng)方法。背景技術(shù) 過去，高電子遷移率晶體管(以下簡(jiǎn)記為HEMT)結(jié)構(gòu)的外延晶體，采用利用有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng)法(MOCVD法)或分子束外延生長(zhǎng)法(MBE法)形成的III-V族系化合物半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成。例如，提出了在InP襯底上層疊形成InAlAs層、InGaAs層等半導(dǎo)體層，再形成InP層作為蝕刻阻止層的結(jié)構(gòu)。圖6表示出這種具有由InP層構(gòu)成的蝕刻...
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