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直拉硅單晶爐熱場的氣流控制方法及裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:8028068

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及自熔融液提拉法的單晶硅生長中氣流的控制方法及設(shè)備,更具體地說是切克勞斯基法(Czochralski法)單晶硅生長中氣流控制及設(shè)備。直拉硅單晶在生長過程中單晶爐內(nèi)必須是負(fù)壓狀態(tài),因此要向爐內(nèi)不斷地充入氬氣,充入的氬氣與在拉硅單晶時生成的一氧化硅形成含有一氧化硅的氬氣氣體充滿爐內(nèi),必須用真空泵將含有一氧化硅的氬氣的氣體不斷向爐外排出,在排出這種含有一氧化硅的氬氣氣體時,要流經(jīng)爐中的發(fā)熱體、石英坩堝支持器等處,最后經(jīng)過真空管道的排氣口排出,其排出的途徑參見圖2中的流動曲線。由于發(fā)熱體和石英坩堝支持器均由...
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