技術(shù)編號(hào)：8026090
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種制備鉛的硫族化合物半導(dǎo)體單晶的裝置，屬于半導(dǎo)體單晶制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)鉛的硫族化合物半導(dǎo)體，包括PbS、PbTe和PbSe化合物，其單晶的生長(zhǎng)和制備方法，包括有氣相運(yùn)載生長(zhǎng)、升華生長(zhǎng)、流相布里奇曼法等。一般而言，單晶材料的氣相法生長(zhǎng)制備的單晶尺寸往往較小，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，若要達(dá)到φ20mm以上直徑的半導(dǎo)體單晶似乎不可能，因此在設(shè)計(jì)制造高集成度探測(cè)器或敏感功能器件就存在一定困難了。為此，必須考慮一種新型的半導(dǎo)體化合物單晶的生長(zhǎng)和制備裝置，以滿足制備較大尺寸單晶材料的需要。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。