技術(shù)編號：8022260
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及制備用于制造電子元件的半導(dǎo)體級單晶硅的拉晶設(shè)備。更特別地，本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)單晶硅錠和晶片的拉晶設(shè)備，其中，所述單晶硅錠和晶片是自填隙為主的并且在大部分晶錠半徑上沒有聚集的本征點缺陷。單晶硅是大多數(shù)半導(dǎo)體電子元件制造過程的原料，它通常是用所謂的直拉(“Cz”)法制備。晶錠的生長最常見的是在拉晶爐中進行。在此方法中，將多晶硅(“聚硅”)裝到坩堝中，并通過一包圍坩堝側(cè)壁外表面的加熱器熔化。使籽晶與坩堝中熔化的硅發(fā)生接觸，并通過用拉晶設(shè)備緩慢提起來生長單晶錠。在形成晶頸完成之后，通過降低提拉速率和/...
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