技術編號：8019766
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本實用新型涉及一種用于拉曼-全息技術實時測定晶體生長固/液界面和邊界層結(jié)構(gòu)的結(jié)晶器。目前實時研究溶液晶體生長，周/液界面邊界層內(nèi)質(zhì)量輸運效應，測定邊界層的厚度，其最有效的技術是全息相襯干涉顯微術。公開報導見于錫玲等”溶液晶體生長邊界層內(nèi)質(zhì)量輸運效應KTP和KDP晶體生長的全息研究”，《晶體研究與技術》29(2)1994,229-236，德國柏林出版。該技術能準確、方便、三維、鮮明地顯示出固/液界面邊界層內(nèi)質(zhì)量、熱量和動量的輸運過程；定量確定邊界層的厚度和濃度梯度分布。然而，該技術還不能測定固/液界面和邊界層...
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