技術(shù)編號(hào)：7930127
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本申請涉及圖像傳感器，尤其涉及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，其中電荷存儲(chǔ)柵(charge storage gate)在光電二極管區(qū)域的一側(cè)形成，以增加每個(gè)單元的電荷容量，由此改善器件特性。背景技術(shù) 開發(fā)和用作為圖像拾取器件(image pickup device)的大多數(shù)電荷耦合器件(CCD)是使用比CMOS電路電壓更高的+15V～-9V的電壓來驅(qū)動(dòng)的。由于制造CCD工藝類似于制造雙極晶體管的工藝，CCD的工藝成本高于CMOS的成本。為解決這種問題，已經(jīng)提供了CMOS圖像傳感器，它能夠?qū)D像傳...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。