技術(shù)編號(hào)：78925
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造技術(shù)的發(fā)展，具有更高性能和更強(qiáng)功能的集成電路要求更大的元件密度，而且各個(gè)部件、元件之間或各個(gè)元件自身的尺寸、大小和空間也需要進(jìn)一步縮小(目前已經(jīng)可以達(dá)到納米級(jí))，隨著半導(dǎo)體器件尺寸的縮小，各種微觀效應(yīng)凸顯出來，為適應(yīng)器件發(fā)展的需要，本領(lǐng)域技術(shù)人員一直在積極探索新的制造工藝。絕緣體上娃(Silicon-On-1nsulator, SOI)具有較好的介質(zhì)隔離特性,采用SOI制成的集成電路具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。