技術編號：7089226
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種高密度存儲器裝置及該存儲器裝置的制造方法，是以相變存 儲器材料例如第六族元素及其他可編程電阻材料為基礎，特別是有關于一種電極結構。背景技術相變化材料在結晶態(tài)(低電阻)與非晶態(tài)(高電阻)之間其電阻值呈現很大的區(qū) 另O。電流流經相變化材料時會設定或復位相變存儲器裝置(PCM)。設定相變存儲器裝置進 入結晶態(tài)可使用中度電流脈沖；欲復位相變存儲器裝置進入非晶態(tài)，則使用短周期的大電 流脈沖；讀取相變化材料裝置的狀態(tài)僅需要小電流。因此，相變存儲器的應...
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