技術(shù)編號：7752370
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及包含多個光電轉(zhuǎn)換部件的MOS有效(active)像素固態(tài)成像裝置。 背景技術(shù)過去，已知存在如日本專利公開No. 2006-086241 (以下稱為專利文獻1)中公開的 那樣配置的MOS有效像素固態(tài)成像裝置(或APS)中的像素。專利文獻1公開了以下內(nèi)容 為了減少在與像素的浮置擴散(floating diffusion)相連接的節(jié)點處的寄生電容，浮置擴 散區(qū)(FD區(qū))的雜質(zhì)濃度比復位晶體管的漏極區(qū)中的雜質(zhì)濃度低。日本專利公開No. 2006-0737...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。