技術(shù)編號(hào):7658129
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體而言涉及圖像傳感器,且具體地(但非排他地),本發(fā)明涉及背面照射式CMOS圖像傳感器。背景技術(shù)附圖說(shuō)明圖1說(shuō)明常規(guī)的包括像素電路101及周邊電路102的背面照射式 (“BSI”)圖像傳感器100。像素電路101包括置于P型硅外延(“印i”)層110內(nèi)的光電二極管(“PD”)區(qū)域105。晶體管像素電路至少部分地形成在P阱115中或P阱115上。 為清楚起見(jiàn)且免得附圖混亂,僅說(shuō)明像素電路101的轉(zhuǎn)移晶體管(Tl)及復(fù)位晶體管(T2)。 用于耦合至轉(zhuǎn)移晶...
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