技術(shù)編號(hào):7532336
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路,尤其涉及一種用于在將閾值電壓為負(fù)電壓的常導(dǎo)通特性或者閾值電壓低至2V左右的常截止特性的GaN、SiC等寬帶隙半導(dǎo)體用作開(kāi)關(guān)元件來(lái)構(gòu)成半橋電路時(shí),提供用于使該開(kāi)關(guān)元件截止的負(fù)的柵極電壓的電路。背景技術(shù)由GaN、SiC等所代表的寬帶隙半導(dǎo)體與硅半導(dǎo)體相比,具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異的特性。另一方面,使用這些寬帶隙半導(dǎo)體的元件表現(xiàn)出即使柵極電壓為0V、也會(huì)有漏極電流流過(guò)的常導(dǎo)通(normally on)特性,或者閾值電壓低至2V左右的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。