技術(shù)編號(hào)：7521147
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有自導(dǎo)通晶體管和自截止晶體管的半導(dǎo)體電路裝置，所述自導(dǎo)通晶體管和自截止晶體管分別具有負(fù)載路徑和操控接線端子并且它們的負(fù)載路徑串聯(lián)。背景技術(shù)這樣的半導(dǎo)體電路裝置例如由EP 0 063 749 Bl公開(kāi)。在該已知的電路裝置中， 作為自導(dǎo)通部件的n-JFET與作為自截止部件的n-MOSFET串聯(lián)，其中JFET的控制接線端子與MOSFET的與JFET遠(yuǎn)離的負(fù)載接線端子連接。這樣的具有JFET和MOSFET的級(jí)聯(lián)電路可以用于開(kāi)關(guān)電負(fù)載。在此，操控信號(hào)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。