技術編號：7519018
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本文討論的實施方案涉及。背景技術正在研究利用氮化物半導體的如高飽和電子速度、寬帶隙等特征來將其應用于高耐壓和高輸出功率半導體器件。例如，GaN是氮化物半導體中的一種，具有3. 4eV的帶隙， 其大于Si的帶隙(1.1eV)和GaAs的帶隙(1. 4eV)，并且還具有高的擊穿電場強度。因此， GaN是用于在高電壓下操作并產生高輸出功率的電源半導體器件的有前途的材料。關于由氮化物半導體制成的器件，有大量關于場效應晶體管尤其是高電子遷移率晶體管(HEMT)的報道...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。