技術(shù)編號(hào)：7517223
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及原子頻標(biāo)領(lǐng)域，更具體涉及一種微波On-OfT實(shí)現(xiàn)Ramsey-CPT原子頻標(biāo)的方法，同時(shí)還涉及一種實(shí)現(xiàn)Ramsey-CPT原子頻標(biāo)的裝置。該方法及裝置可應(yīng)用于原子 頻標(biāo)，尤其是微型化高性能的芯片級(jí)原子頻標(biāo)(CSAC)，也可用于及磁強(qiáng)計(jì)等精密測量設(shè)備， 在精密測量中有廣泛應(yīng)用前景。背景技術(shù)微波對(duì)垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)進(jìn)行調(diào)制，產(chǎn)生相干多色光，由正負(fù)一級(jí) 邊帶組成的雙色光與原子相互作用可制備出相干布居囚禁(CPT)態(tài)，由此獲得電磁感應(yīng)透 ...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。