技術(shù)編號(hào)：7516740
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子開關(guān)器件，具體涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體開關(guān)器件制造技術(shù)的提高，高電子遷移率晶體管(HEMT)憑借其自身 的低阻性、高頻性和高效性的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛的更多的應(yīng)用于功率開關(guān)電路?，F(xiàn)階段的高 電子遷移率晶體管(HEMT)大多數(shù)還屬于耗盡型開關(guān)器件。相對(duì)于增強(qiáng)型半導(dǎo)體開關(guān)器件， 耗盡型半導(dǎo)體開關(guān)器件自身具有的“常通型”特點(diǎn)，使其在功率開關(guān)電路的待機(jī)狀態(tài)或者故 障保護(hù)狀態(tài)不能保持關(guān)閉狀態(tài)。這樣會(huì)使開關(guān)功率電路的母線電指標(biāo)處于失控狀態(tài)。解決 該問題的傳統(tǒng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。