技術(shù)編號(hào):7511359
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于并聯(lián)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)動(dòng)態(tài)均流的方法 和電路。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的并聯(lián)運(yùn)行能夠承受更高的負(fù)載電流,但 同時(shí)由于并聯(lián)IGBT各路的門檻電壓U。E、密勒電容C。E、射極電感Lc、柵極 電阻R。、柵極引線電感L。、柵極電容C。E等的不同造成并聯(lián)IGBT各路器件 開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間不一致,從而導(dǎo)致動(dòng)態(tài)不均流的問(wèn)題,如圖1所示,實(shí)線表 示并聯(lián)IGBT中的一路的柵射極電壓波形,該路IGBT先導(dǎo)通并先關(guān)斷,虛 線表示并聯(lián)IGBT...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。