技術(shù)編號：7458835
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于電力電子驅(qū)動應(yīng)用，尤其涉及一種隔離型可快速關(guān)斷的 MOSFET驅(qū)動電路，該電路適用于對驅(qū)動電路抗干擾性強，需要快速關(guān)斷且占空比變化范圍較大的場合。背景技術(shù)目前，常用的功率變換器電路驅(qū)動芯片價格較高，在不同的特殊應(yīng)用場合存在一定的局限性。功率MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過其閾值電壓就會導(dǎo)通，由于MOSFET存在結(jié)電容，關(guān)斷時其漏、源極兩端電壓的突然上升將會通過結(jié)電容在柵、源兩端產(chǎn)生干擾...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。