技術(shù)編號：7275980
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于功率器件驅(qū)動，特別涉及一種混合集成IGBT驅(qū)動電路。背景技術(shù)IGBT (Isolated gate bipolar transistor),即絕緣柵型雙極性晶體管具有優(yōu)越的低飽和壓降，較高的電壓和較大的電流輸出等特點(diǎn)，在功率電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)得到更為廣泛的應(yīng)用和關(guān)注。為了使IGBT在大功率系統(tǒng)發(fā)揮更穩(wěn)定和安全的性能，需要設(shè)計(jì)專門的驅(qū)動電路。傳統(tǒng)IGBT集成驅(qū)動芯片需要外接電源供電，電路成本高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜，外接電源出現(xiàn)波動，造成整個電路故障，電路的可靠...
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