技術(shù)編號：7265990
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種雙面透光的局部鋁背場晶體硅太陽能電池，包括硅基體，設于硅基體正面的發(fā)射極、正面減反射鈍化膜和正面電極，以及設于硅基體背面的背面鈍化膜、背電場和背電極，所述背電場為局部鋁背場，其通過在背面鈍化膜上開孔或者開槽，在開孔或者開槽區(qū)域采用線型鋁漿覆蓋所述開孔或者開槽區(qū)域，并保留部分背面鈍化膜不被鋁漿所覆蓋，燒結(jié)后在開孔或者開槽區(qū)域形成局部鋁背場，所述局部鋁背場與所述背電極相連通。該太陽能電池背面鈍化層（膜）沒有完全被鋁漿覆蓋，電池可以吸收部分背面入...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。