技術(shù)編號：7264400
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種稀土氧化物作為存儲層的全透明阻變存儲器，包括底電極、頂電極以及位于底電極和頂電極之間的阻變存儲層材料，所述阻變存儲層材料由一層稀土氧化物薄膜構(gòu)成，在可見光區(qū)具有接近100％的透過率。其制作方法包括以下步驟(1)透明襯底的清洗；(2)在透明襯底上制作底電極；(3)利用物理氣相沉積技術(shù)在底電極上沉積稀土氧化物薄膜；(4)利用光學(xué)曝光技術(shù)形成頂電極圖形，制作頂電極。本發(fā)明的全透明阻變存儲器具有高透光率、存儲密度高、存儲穩(wěn)定好、免電激活等優(yōu)點(diǎn)，在透明電子的非易...
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