技術(shù)編號(hào)：7264128
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，其特征在于所述襯底的摻雜類型為P型，襯底上形成有光電轉(zhuǎn)換部。所述襯底形成有至少一個(gè)貫穿襯底的過孔，在過孔側(cè)壁及襯底背面的過孔周圍形成N型擴(kuò)散層，在過孔中填充金屬，從而在過孔側(cè)壁形成肖特基旁路二極管。光電轉(zhuǎn)換部上的正面電極通過過孔中的填充金屬連接至襯底背面。本發(fā)明在制備全背電極芯片的過程中集成了旁路二極管，芯片制備封裝簡單，有利于太陽電池的規(guī)模化應(yīng)用。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種，屬半導(dǎo)體器件與工藝。背景技術(shù)[0002]目前市場(chǎng)上大部...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。