技術(shù)編號(hào):7263799
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種。所述方法包括提供N型摻雜的半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面;N型摻雜所述半導(dǎo)體襯底的靠近所述第一表面的區(qū)域,以形成緩沖層;在所述第一表面上形成氧化層;提供支撐襯底,并在所述第一表面將所述支撐襯底鍵合至所述半導(dǎo)體襯底;從所述第二表面對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行減薄;在所述第二表面制備所述絕緣柵雙極型晶體管的正面結(jié)構(gòu);去除所述支撐襯底以及所述氧化層,以露出所述第一表面;以及在所述第一表面制備所述絕緣柵雙極型晶體管的背...
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