技術(shù)編號：7262648
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種。半導(dǎo)體裝置包括一襯底、一第一摻雜區(qū)(doping region)、一第一阱(well)、一第一重?fù)诫s區(qū)(heavily doping region)、一第二重?fù)诫s區(qū)、一第三重?fù)诫s區(qū)以及一電阻元件。第一摻雜區(qū)設(shè)置于襯底上，第一阱設(shè)置于第一摻雜區(qū)內(nèi)。第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)置于第一阱內(nèi)。第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)置于第一阱內(nèi)，第二重?fù)诫s區(qū)是與第一重?fù)诫s區(qū)間隔開來。第三重?fù)诫s區(qū)設(shè)置于第一摻雜區(qū)內(nèi)，第二重?fù)诫s區(qū)經(jīng)由電阻元件電性連接于第三重?fù)诫s區(qū)。襯底、第一阱及第二重?fù)?..
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。