技術(shù)編號：7261990
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于短生命周期物種的具有內(nèi)建等離子體源的處理腔室蓋設(shè)計直量領(lǐng)域本發(fā)明的實施例一般涉及用于沉積材料的設(shè)備和方法，特別是涉及配置為在等離子體增強工藝期間沉積材料的氣相沉積腔室。相關(guān)技術(shù)的描述在半導(dǎo)體處理、平板顯示器處理或其它電子裝置處理的領(lǐng)域中，氣相沉積工藝在將材料沉積于基板上起重要作用。隨著電子裝置幾何形狀持續(xù)縮小，而裝置密度持續(xù)增加，特征結(jié)構(gòu)的尺寸與深寬比變得更加競爭性，例如，O. 07μπι的特征結(jié)構(gòu)尺寸與10以上的深寬比。因此，共形沉積(conform...
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