技術(shù)編號(hào):7260458
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種實(shí)現(xiàn)通態(tài)電阻的降低或電流崩塌的抑制并且防止了耐壓降低的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備形成于基板上的由氮化物系半導(dǎo)體構(gòu)成的第1半導(dǎo)體層,形成于所述第1半導(dǎo)體層的表面的、由帶隙比所述第1半導(dǎo)體層寬的氮化物系半導(dǎo)體構(gòu)成的第2半導(dǎo)體層,形成于所述第2半導(dǎo)體層的表面上的第1電極,形成于所述第2半導(dǎo)體層的表面上的第2電極,形成于所述第2半導(dǎo)體層的表面的所述第1電極和所述第2電極之間的電極間絕緣膜,以及形成于所述電極間絕緣膜上的由絕緣體構(gòu)成的介電常數(shù)調(diào)節(jié)層,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。