技術(shù)編號：7260439
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于垂直MOSFET的終端布置。器件和技術(shù)的代表性實施提供了針對晶體管結(jié)構(gòu)的終端布置。晶體管結(jié)構(gòu)的外圍可以包括具有布置為改進晶體管在擊穿或接近擊穿時的性能的特征的凹槽區(qū)域。專利說明用于垂直MOSFET的終端布置 背景技術(shù) [0001]晶體管結(jié)構(gòu)可包括在結(jié)構(gòu)有源區(qū)的一個或多個外部邊緣上的終端(terminat1n)區(qū)。在功率晶體管(諸如金屬-氧化物-半導體(MOSFET)器件)的終端區(qū)，在施加高漏極電壓下，發(fā)展高電場區(qū)。一旦該電場達到臨界水平，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。