技術(shù)編號(hào):7258346
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供,包括提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成蝕刻停止層、低k介電層、緩沖層和硬掩膜層;在所述硬掩膜層中形成第一開口,以露出所述緩沖層;在所述緩沖層和所述低k介電層中形成第二開口;執(zhí)行兩次一體化刻蝕以在所述低k介電層中形成銅金屬互連結(jié)構(gòu),在所述兩次一體化刻蝕之間實(shí)施所述硬掩膜層的去除;在所述銅金屬互連結(jié)構(gòu)中形成銅金屬層。根據(jù)本發(fā)明,可以降低銅金屬互連結(jié)構(gòu)的深寬比,尤其是銅金屬互連結(jié)構(gòu)中的通孔的深寬比,進(jìn)而提升一體化刻蝕的工藝精度,使銅金屬互連結(jié)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。