技術(shù)編號(hào)：7257920
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了。一種半導(dǎo)體器件包括具有第一閾值電壓的第一NMOS器件和具有第二閾值電壓的第二NMOS器件。第一NMOS器件包括位于半導(dǎo)體襯底上方的第一柵極結(jié)構(gòu)、位于半導(dǎo)體襯底中并且鄰近于第一柵極結(jié)構(gòu)的相對(duì)邊緣的第一源極/漏極(S/D)區(qū)域。第一S/D區(qū)域不包含位錯(cuò)。第二NMOS器件包括位于半導(dǎo)體襯底上方的第二柵極結(jié)構(gòu)、位于半導(dǎo)體襯底中并且鄰近于第二柵極結(jié)構(gòu)的相對(duì)邊緣的第二S/D區(qū)域和位于第二S/D區(qū)域中的位錯(cuò)。專(zhuān)利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及。背景技術(shù)[000...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。