技術(shù)編號：7257916
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種。該非易失性記憶胞，包括基底、電荷儲存結(jié)構(gòu)以及穿隧介電層。其中基底中具有隔離結(jié)構(gòu)，定義出主動區(qū)。電荷儲存結(jié)構(gòu)位于主動區(qū)上。電荷儲存結(jié)構(gòu)的底部寬度實質(zhì)上等于主動區(qū)的寬度，電荷儲存結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與基底的上表面的第一夾角不同于隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與基底的上表面的第二夾角。穿隧介電層位于電荷儲存結(jié)構(gòu)與基底之間。穿隧介電層的下表面平坦，且穿隧介電層的上表面實質(zhì)上與基底的上表面平行。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及一種集成電路及其制造方法，特別是涉及一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。