技術(shù)編號：7257833
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種。半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)包括柵電極、介電層、有源層、源極、漏極與保護(hù)層。有源層與柵電極位在介電層的相反側(cè)上。源極配置在有源層上。漏極配置在有源層上。保護(hù)層配置于有源層上。保護(hù)層具有氫含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片電阻大于或等于10^10Ohm/sq。專利說明[0001]本發(fā)明涉及氧化物，特別是涉及具有通道保護(hù)層或半導(dǎo)體蝕刻阻障層的。背景技術(shù)[0002]目前氧化物晶體管元件具有優(yōu)異的元件特性、極佳的均勻性以及適用于大面積且低溫制作工藝的特性，使...
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